[发明专利]电平移位电路有效

专利信息
申请号: 201710174316.6 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN107231143B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 高田幸辅 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H03K3/011 分类号: H03K3/011
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;付曼
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 课题在于提供能够避免电平移位动作造成的耐压破坏的电平移位电路。解决方案在于具备:浮动电源,一端与输出端子连接;第1及第2电阻,与浮动电源的另一端连接;第1及第2NMOS晶体管,漏极分别与第1及第2电阻的各自另一端连接,栅极接受低电平电源的电压;第3及第4NMOS晶体管,栅极接受来自脉冲发生电路的第1及第2脉冲信号;第3及第4电阻,分别连接在第1及第2NMOS晶体管的源极与第3及第4NMOS晶体管的漏极之间;以及逻辑电路,接受在第1及第2电阻的各自另一端生成的信号,将输入脉冲发生电路的信号转换为在浮动电源的一端的电压与另一端的电压之间变动的信号并加以输出。
搜索关键词: 电平 移位 电路
【主权项】:
一种电平移位电路,其特征在于具备:输入端子,被供给在基准电压与第1电压之间变动的输入信号;输出端子,输出与所述输入信号对应的输出电压;浮动电源,一端与所述输出端子连接;固定电源,一端与所述基准电压连接,在另一端生成第2电压;第1及第2电阻,一端与所述浮动电源的另一端连接;第1及第2NMOS晶体管,漏极分别与所述第1及第2电阻的各自另一端连接;第3及第4电阻,一端分别与所述第1及第2NMOS晶体管的各自源极连接;第3及第4NMOS晶体管,漏极分别与所述第3及第4电阻的各自另一端连接,源极与所述基准电压连接;脉冲发生电路,基于所述输入信号输出控制所述第3及第4NMOS晶体管的导通/截止的第1及第2脉冲信号;以及逻辑电路,因所述浮动电源进行动作,接受在所述第1及第2电阻的各自另一端生成的第1及第2信号,将所述输入信号转换为在所述浮动电源的一端的电压与另一端的电压之间变动的信号并加以输出,所述第1及第2NMOS晶体管的栅极与所述第2电压连接,以在所述第3及第4NMOS晶体管分别导通时,使所述第3及第4NMOS晶体管的漏极电压不超过该第3及第4NMOS晶体管的耐压的方式进行动作。
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