[发明专利]电平移位电路

说明书

课题在于提供能够避免电平移位动作造成的耐压破坏的电平移位电路。解决方案在于具备：浮动电源，一端与输出端子连接；第1及第2电阻，与浮动电源的另一端连接；第1及第2NMOS晶体管，漏极分别与第1及第2电阻的各自另一端连接，栅极接受低电平电源的电压；第3及第4NMOS晶体管，栅极接受来自脉冲发生电路的第1及第2脉冲信号；第3及第4电阻，分别连接在第1及第2NMOS晶体管的源极与第3及第4NMOS晶体管的漏极之间；以及逻辑电路，接受在第1及第2电阻的各自另一端生成的信号，将输入脉冲发生电路的信号转换为在浮动电源的一端的电压与另一端的电压之间变动的信号并加以输出。

技术领域

本发明关于电平移位电路。

背景技术

图3示出现有的电平移位电路300的电路图。

现有的电平移位电路300具备：高电平电源端子301、输出端子302、接地端子303、浮动电源304、低电平电源305、PWM端子306、脉冲发生电路311、电阻316、317、高耐压NMOS晶体管314、315、323、324、由反相器电路318、319及RS触发电路320构成的逻辑电路310、驱动电路321、322、以及低压侧驱动信号输入端子307。

参照图3，对现有的电平移位电路300的连接进行说明。

脉冲发生电路311的输入与PWM端子306连接。高耐压NMOS晶体管314的栅极与脉冲发生电路311的第1输出连接，源极与接地端子303连接，漏极与电阻316的一端和反相器电路318的输入连接。高耐压NMOS晶体管315的栅极与脉冲发生电路311的第2输出连接，源极与接地端子303连接，漏极与电阻317的一端和反相器电路319的输入连接。

RS触发电路320的置位端子S与反相器电路318的输出连接，复位端子R与反相器电路319的输出连接，输出端子Q与驱动电路321的输入连接。

驱动电路321的输出与高耐压NMOS晶体管323的栅极连接。高耐压NMOS晶体管323的源极与输出端子302连接，漏极与高电平电源端子301连接。

浮动电源304的一端与电阻316的另一端和电阻317的另一端和驱动电路321的电源输入连接，另一端与输出端子302和驱动电路321的低电平电源输入连接。驱动电路322的输入与低压侧驱动信号输入端子307连接，电源输入与低电平电源305的一端连接，低电平电源输入与接地端子303连接。高耐压NMOS晶体管324的栅极与驱动电路322的输出连接，源极与接地端子303连接，漏极与输出端子302连接。低电平电源305的另一端与接地端子303连接。

对现有的电平移位电路300的动作进行说明。

首先，对在PWM信号发生上升沿的情况下的动作进行描述。在此，PWM信号为具有与低电平电源305的电压相等的振幅的信号。

脉冲发生电路311以所输入的PWM信号的上升沿的定时向第1输出信号S1输出冲息触发（One-shot）脉冲，向高耐压NMOS晶体管314的栅极输入。高耐压NMOS晶体管314将信号S1的冲息触发脉冲转换为电流，通过向电阻316供给该电流而在电阻316的一端发生电压HV1。

反相器电路318向RS触发电路320的置位端子S供给电压HV1的反相信号S2。RS触发电路320通过该动作来置位，作为输出信号Q0从输出端子Q输出HIGH电平。此外，逻辑电路310如图示那样因浮动电源304进行动作。

驱动电路321对所输入的HIGH电平的信号Q0进行缓冲，以输出信号DRV驱动高耐压NMOS晶体管323。由此，高耐压NMOS晶体管323导通，输出端子302的输出电压OUT上升。在低压侧驱动信号输入端子307被输入高耐压NMOS晶体管323和324交替地导通截止那样的信号，在信号Q0为HIGH电平的主状态下，被输入LOW电平。即，高耐压NMOS晶体管324截止。