[发明专利]一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201710172988.3 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106876478A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 刘军;苏同上 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜、薄膜晶体管及制作方法，在通过金属诱导非晶硅晶化方法将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜时，可以避免需单独制作金属隔离层，同时，也可以避免金属隔离层和金属层的去除工艺，降低将非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜的制作成本，简化工艺制作。本申请实施例提供的薄膜晶体管中的多晶硅薄膜的制作方法，包括在衬底基板上形成金属层；在所述金属层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅膜层；通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，其中，所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 中的 多晶 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管中的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成金属层；在所述金属层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅膜层；通过金属原子对所述非晶硅膜层的催化作用，将所述非晶硅膜层转化为多晶硅膜层，其中，所述金属原子为所述金属层扩散的、并与所述非晶硅膜层接触的金属原子。
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