[发明专利]用于三维非易失性电阻式随机存取存储器的纳米颗粒基体有效
| 申请号： | 201710172413.1 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107068859B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | J·C·里德;K·A·鲁宾 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开主要涉及一种三维NVM RRAM装置中的纳米颗粒基体。该RRAM装置使用可以沉积到高深宽比沟道中的材料，材料具有良好的循环性能，短的擦和写时间，以及与CMOS兼容的写/擦电压。RRAM材料设置于装置的两个电极之间，并包括分布于绝缘基体内的导电纳米颗粒。颗粒低于渗流阈值分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 非易失性 电阻 随机存取存储器 纳米 颗粒 基体 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：/n第一电极；/n第二电极；以及/n第一存储器材料，所述第一存储器材料设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述第一存储器材料包括绝缘材料，所述绝缘材料具有分布在所述绝缘材料内的多个金属纳米颗粒，其中所述纳米颗粒低于渗流阈值分布，并且其中所述金属纳米颗粒选自由以下材料组成的组：钯、铂、铑、钌、锆、锡、钼、铬、钽、铪、钒、及其合金，其中所述第一存储器材料包括纳米颗粒，所述纳米颗粒表面上的成分不同于所述纳米颗粒内部的成分，所述纳米颗粒表面包括选自由以下材料组成的组的材料：硅、锗、硼、氮、氧、钯、铂、铑、钌、镍、金、银、铝、钛、钨、锆、锡、钼、铬、钽、铪、钒、及其合金。/n
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