[发明专利]一种偏钛酸包覆氧化铝核壳磨粒抛光液组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201710166120.2 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106978087B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 雷红;王鑫;王天仙;董越;刘婷婷;陈怡 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种偏钛酸包覆氧化铝核壳磨粒抛光液组合物，其特征在于，所述的核壳磨粒抛光液组合物含有：偏钛酸，0.024～0.24 wt.%；氧化铝，4 wt.%；六偏磷酸钠，0.04 wt.%；去离子水，95.72～95.936 wt.%；该方法制备的抛光液组合物是以硬度高的氧化铝为核，硬度低的偏钛酸为壳的核壳磨粒，由于外壳硬度较低，可以降低氧化铝对蓝宝石基片表面的“硬冲击”，从而改善抛光划痕和表面损伤，降低表面粗糙度；由于偏钛酸和蓝宝石表层的氧化铝能发生反应，能提高蓝宝石的抛光速率。采用本发明制备的抛光液对蓝宝石基片进行抛光，可以提高蓝宝石基片表面去除速率，降低蓝宝石表面的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 偏钛酸包覆 氧化铝 核壳磨粒 抛光 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种偏钛酸包覆氧化铝核壳磨粒抛光液组合物，其特征在于，所述的核壳磨粒抛光液组合物含有：![]()
以上各组成的质量百分比含量之和为100wt％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710166120.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
