[发明专利]一种快速评估最优读电压的方法有效
| 申请号： | 201710163990.4 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106981302B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 伦建坤;郭超 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 叶新民 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种快速评估最优读电压的方法，其特征在于包括统计阶段和校准阶段；统计阶段通过样本统计获取样本的存储单元电压分布曲线的波谷位置与实际最优读电压的差值dv、插值函数和采样间隔；校准阶段：根据统计阶段获取的差值dv、插值函数和采样间隔快速评估实际FLASH的要操作的数据块的最优读电压。本发明通过采用间隔采样、合并法和插值函数对数据进行评估，大幅度降低了评估的数据量提升了评估效率，同时增加统计评估的最优电压与实际最优电压的位置差异，对评估的电压做进一步的修正，提高了准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 评估 最优 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速评估最优读电压的方法，其特征在于包括统计阶段和校准阶段；统计阶段通过样本统计获取样本的存储单元电压分布曲线的波谷位置与实际最优读电压的差值dv、插值函数和采样间隔；校准阶段：根据统计阶段获取的差值dv、插值函数和采样间隔快速评估实际FLASH的要操作的数据块的最优读电压；通过对待评估的批次FLASH中随机抽取FLASH样本，再在FLASH样本中随机抽取多个block作为块样本，将预先定义好的数据写入所选的块样本中；采用交叉法计算每个块样本的块真实最优读电压，定义为交叉读电压Optimal Vref1；采用合并法根据存储单元电压获得电压分布图并计算每个块样本的块最优读电压，定义为合并读电压Optimal Verf2；获得差值dv：dv＝Optimal Vref1‑OptimalVref2，根据dv和插值函数估计的最优读电压Optimal Vref3，不断修改插值函数和采样间隔评估Optimal Vref3，直到Optimal Vref1与Optimal Vref3之间偏差满足预先设定的偏差范围，获得该批次FLASH样本的dv、插值函数、采样间隔和参考最优读电压Optimal Vref，并记录。
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