[发明专利]多谐振器非相邻耦合有效
| 申请号： | 201710151794.5 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107425247B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 普马·苏贝迪;伊恩·巴尔克;维安·范·德兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01P1/208 | 分类号： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及多谐振器非相邻耦合，提供了用于耦合射频滤波器的非相邻谐振器的耦合结构。该耦合结构使用金属条将非相邻谐振器连接在一起。该金属条被物理地连接到位于所连接的非相邻谐振器之间的谐振器但与之电隔离。金属条包括长度可变的凸部。该耦合结构对包括水平对齐的谐振器的不同谐振器配置起作用。该耦合结构允许跳跃能够在高带和低带产生零位的偶数个谐振器。这种配置的单一耦合结构使能两个负耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 相邻 耦合 | ||
【主权项】：
一种射频(RF)滤波器，包括：包括第一谐振器、第二谐振器和第三谐振器在内的多个谐振器；以及介于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间的交叉耦合元件，所述交叉耦合元件延伸到所述第三谐振器上并且与所述第三谐振器电隔离，其中所述第一谐振器和所述第二谐振器彼此不相邻，所述第三谐振器位于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间，以及其中所述交叉耦合元件包括延伸到所述第一谐振器和所述第二谐振器上的多个凸部，所述凸部将所述交叉耦合元件电容性地耦合到所述第一谐振器和所述第二谐振器。
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