[发明专利]多谐振器非相邻耦合有效
申请号: | 201710151794.5 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN107425247B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 普马·苏贝迪;伊恩·巴尔克;维安·范·德兰 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振器 相邻 耦合 | ||
1.一种射频(RF)滤波器,包括:
包括第一谐振器、第二谐振器和第三谐振器在内的多个谐振器;以及
介于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间的交叉耦合元件,所述交叉耦合元件延伸到所述第三谐振器上并且经由位于所述第三谐振器上的电绝缘体与所述第三谐振器电隔离,
其中所述第一谐振器和所述第二谐振器彼此不相邻,所述第三谐振器位于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间,以及
其中所述交叉耦合元件包括延伸到所述第一谐振器和所述第二谐振器上的多个凸部,所述多个凸部将所述交叉耦合元件电容性地耦合到所述第一谐振器和所述第二谐振器。
2.如权利要求1所述的RF滤波器,其中,所述多个凸部的长度是可选的。
3.如权利要求1所述的RF滤波器,其中,所述交叉耦合元件经由所述电绝缘体与所述第一谐振器的表面和所述第二谐振器的表面通电地分离。
4.如权利要求3所述的RF滤波器,其中,所述电绝缘体的厚度是可选的。
5.如权利要求3所述的RF滤波器,其中,所述交叉耦合元件包括与所述电绝缘体的表面接触的金属条。
6.如权利要求1所述的RF滤波器,其中,所述多个凸部中的第一凸部延伸到第一谐振器上,并且所述多个凸部中的第二凸部延伸到所述第二谐振器上。
7.如权利要求6所述的RF滤波器,其中,所述交叉耦合元件是金属制成的。
8.如权利要求1所述的RF滤波器,其中,所述多个凸部中的第一凸部延伸到所述第一谐振器上从而在所述第一凸部和所述第一谐振器之间提供第一间隙,所述多个凸部中的第二凸部延伸到所述第二谐振器上从而在所述第二凸部和所述第二谐振器之间提供第二间隙,所述第一间隙和所述第二间隙用于实现所述电容性耦合。
9.如权利要求1所述的RF滤波器,其中,所述多个谐振器包括第四谐振器,所述交叉耦合元件延伸到所述第三谐振器和所述第四谐振器上并且与所述第三谐振器和所述第四谐振器电隔离,并且其中所述第四谐振器介于所述第三谐振器和所述第二谐振器之间。
10.如权利要求1所述的RF滤波器,其中,所述交叉耦合元件包括耦合所述多个凸部的金属条。
11.一种射频(RF)滤波器,包括:
包括第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器和第五谐振器在内的多个谐振器;
介于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间的第一交叉耦合元件,所述第一交叉耦合元件延伸到所述第五谐振器上并且与所述第五谐振器电隔离,其中所述第一谐振器和所述第二谐振器彼此不相邻,所述第五谐振器位于所述第一谐振器和所述第二谐振器之间,以及
介于所述第二谐振器和所述第三谐振器之间的第二交叉耦合元件,所述第二交叉耦合元件延伸到所述第四谐振器上并且与所述第四谐振器电隔离,其中所述第二谐振器和所述第三谐振器彼此不相邻,所述第四谐振器位于所述第二谐振器和所述第三谐振器之间,
其中所述第一交叉耦合元件包括延伸到所述第一谐振器和所述第二谐振器上的第一多个凸部,所述第一多个凸部将所述第一交叉耦合元件电容性地耦合到所述第一谐振器和所述第二谐振器,并且
其中所述第二交叉耦合元件包括延伸到所述第二谐振器和所述第三谐振器上的第二多个凸部,所述第二多个凸部将所述第二交叉耦合元件电容性地耦合到所述第二谐振器和所述第三谐振器。
12.如权利要求11所述的RF滤波器,其中,所述第一多个凸部中的第一凸部延伸到第一谐振器上,并且所述第一多个凸部中的第二凸部延伸到所述第二谐振器上。
13.如权利要求11所述的RF滤波器,其中,所述第二多个凸部中的第一凸部延伸到所述第二谐振器上,并且所述第二多个凸部中的第二凸部延伸到所述第三谐振器上。
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