[发明专利]一种摆式电涡流TMD磁路构造设计方法及装置有效
| 申请号： | 201710138957.6 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106777841B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 汪志昊;田文文;王浩;郜辉;张正亚;高郁斌;靖金亮;马逵;汪志华;王丽娟;钱晓军;朱倩 | 申请（专利权）人： | 华北水利水电大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F119/14 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 450000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明属于结构振动控制技术领域，具体涉及一种摆式电涡流TMD磁路构造设计方法及装置，设计方法包括：确定电涡流TMD设计参数；计算电涡流阻尼器等效阻尼系数目标值；确定矩形永磁体型号与尺寸；设计由块永磁体构成的电涡流阻尼器基准单元；计算电涡流阻尼器基准单元的等效粘滞阻尼系数c |
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| 搜索关键词： | 一种 摆式 涡流 tmd 磁路 构造 设计 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种摆式电涡流TMD磁路构造的设计方法，其特征在于：具体包括以下步骤：确定电涡流TMD设计参数：质量m、振动频率f与阻尼比ζ；计算电涡流阻尼器等效阻尼系数目标值cTMD＝2m(2πf)ζ；确定矩形永磁体型号与尺寸，永磁体长度与宽度记为b，高度记为h；设计由4块永磁体构成的电涡流阻尼器基准单元；采用三维电磁场有限元分析方法计算电涡流阻尼器基准单元的等效粘滞阻尼系数cJ；确定电涡流阻尼器基准单元的数量n＝cTMD/cJ，即永磁体总数量为4n。
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