[发明专利]包含三元内容可定址记忆体阵列的电子电路、电子装置及其方法有效
| 申请号： | 201710138029.X | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108074611B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C15/04 | 分类号： | G11C15/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包含三元内容可定址记忆体(Ternary Content‑Addressable Memory；TCAM)阵列的电子电路。TCAM阵列包括包含第一信号线的多个TCAM单元。第一信号线位于第一金属层中。TCAM阵列包括包含第一金属接合垫的连接结构。第一金属接合垫位于不同于第一金属层的第二金属层中。电子电路包括位于TCAM阵列附近的周边电路。周边电路包括位于第一金属层中的第一金属线。第一金属线在平面图中在与第一信号线平行但与第一信号线对位不良的方向延伸。第一金属接合垫与第一信号线及第一金属线两者电耦接。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 三元 内容 定址 记忆体 阵列 电子电路 电子 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子电路，其特征在于，包含：一三元内容可定址记忆体(Ternary Content-Addressable Memory；TCAM)阵列，其中该TCAM阵列包括：多个TCAM单元，该多个TCAM单元包括一第一信号线，该第一信号线位于一第一金属层中；以及一连接结构，该连接结构包括一第一金属接合垫，该第一金属接合垫位于不同于该第一金属层的一第二金属层中；以及一周边电路，该周边电路位于该TCAM阵列附近，该周边电路包括位于该第一金属层中的一第一金属线；其中：该第一金属线在一平面图中在与该第一信号线平行但与该第一信号线对位不良的一方向延伸；以及该第一金属接合垫与该第一信号线及该第一金属线两者电耦接。
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