[发明专利]一种四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料的制备及其应用有效

专利信息
申请号: 201710129972.4 申请日: 2017-03-07
公开(公告)号: CN106952743B 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 孔泳;王丙虎 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/30;H01G11/38;H01G11/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料的制备及其应用。包括以下步骤:四氧化三钴/碳的制备,四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料的制备,四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料修饰电极的制备,四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料的电容性能测试。本发明的有益效果是所制备的掺氮碳/四氧化三钴具有良好的空间稳定性和导电性,并且能够对二硫化钼起支撑作用使四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料具有良好的电子转移能力和优异的比电容。
搜索关键词: 四氧化三钴 二硫化钼 核壳材料 制备 电容性能测试 电子转移能力 导电性 空间稳定性 修饰电极 支撑作用 比电容 掺氮 应用
【主权项】:
一种可用于电化学储能的四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料修饰电极的制备方法,其特征在于:步骤如下:a、四氧化三钴/碳的制备:称取六水硝酸钴、2‑甲基咪唑分别溶于5~10mL去离子水和30~60mL去离子水中,然后将两溶液混合并在室温下搅拌,最后将生成物离心,用水和乙醇洗涤数次并在烘箱中干燥得到金属有机框架ZIF‑67,将制备的ZIF‑67置于管式炉中在氮气条件下煅烧,最后将煅烧后的样品置于马弗炉中二次煅烧;b、四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料的制备:将步骤a中所得四氧化三钴/碳超声分散到溶有四硫代钼酸铵的二甲基甲酰胺溶液中,后将分散液置于反应釜中,完毕后,将反应釜置于马弗炉中一定温度下反应数小时,最后将生成物离心,用水和乙醇洗涤数次并在烘箱中烘干;c、四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料修饰电极的制备:将四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料超声分散于超纯水中,然后取3~10μL的分散液滴涂到电极上,室温下干燥,得到四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料修饰的电极;d、四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料的电容性能测试:通过电化学工作站进行四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料电容性能的测试,本实验采用三电极体系,四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料修饰电极为工作电极,铂片为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极,电解液为1~6mol/L KOH溶液,在以上条件下进行计时电位测试,并通过计时电位图计算四氧化三钴/碳@二硫化钼核壳材料的比电容。
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