[发明专利]一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和方法有效
申请号: | 201710126308.4 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN106898385B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 杨州军;蔡豪;谢先立;孙宗昌;丁永华;庄革;潘垣 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G21B1/15 | 分类号: | G21B1/15 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人: | 廖盈春,李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和方法;装置包括分段的负极板、正极板和电子枪;负极板与正极板相对并与磁场方向平行放置;电子枪位于极板边缘且平行于极板。本发明采用电子枪,能发射出大量高速运动的电子束;电场由通电极板产生,电场方向与磁场方向垂直;电子枪位于极板边缘且与极板平行,电子枪能发射出大量高速运动的电子束。这些电子束经过分段的电场区域时产生电漂移运动。在极板出口收集电子束,根据收集电子束大小,反馈调整电子枪发射面角度与发射功率。本发明通过分段的电场,克服单一极板产生恒定电场的不足。通过构造合理的电场位形,能使电子束沿着合理的轨迹不打到极板,大大提高注入效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁场 电子枪 电子束 注入 约束 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置,其特征在于,包括:负极板、正极板和电子枪;所述负极板与所述正极板相对并与磁场方向平行放置,用于产生漂移电场并约束平行方向的电子束;所述电子枪位于所述正极板和所述负极板的边缘且平行于所述正极板和所述负极板,用于产生大量电子束;所述装置还包括设置在电子枪外部的磁屏蔽套筒,用于屏蔽外部强磁场对电子枪的影响。
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