[发明专利]H桥TEC控制电路在审
| 申请号： | 201710120543.0 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106787735A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张真波;郑文强 | 申请（专利权）人： | 成都优博创通信技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H02M1/14;F25B21/02 |
| 代理公司： | 泰和泰律师事务所51219 | 代理人： | 曾祥坤,杨栩 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种H桥TEC控制电路，包括第一PMOS、第二PMOS、第一NMOS和第二NMOS，所述第一PMOS与第二PMOS的源极连接VCC，第一PMOS的漏极与第一NMOS的源极连接，第二PMOS的漏极与第二NMOS的源极连接，第二PMOS和第二NMOS的漏极接地；其特征在于，还包括一电感与电容，所述电感一端与第一PMOS漏极连接，另一端与TEC正端和电容的一端连接，TEC的负端与第二PMOS漏极连接，电容的另一端接地，所述第一PMOS、第二PMOS、第一NMOS和第二NMOS的基极接PWM信号。本发明电路简洁、成本低、效率高。 | ||
| 搜索关键词： | tec 控制电路 | ||
【主权项】：
一种H桥TEC控制电路，包括第一PMOS（1）、第二PMOS（2）、第一NMOS（3）和第二NMOS（4），所述第一PMOS（1）与第二PMOS（2）的源极连接VCC，第一PMOS（1）的漏极与第一NMOS（3）的源极连接，第二PMOS（2）的漏极与第二NMOS（4）的源极连接，第一NMOS（3）和第二NMOS（4）的漏极接地；其特征在于：还包括一电感（5）与电容（6），所述电感（5）一端与第一PMOS（1）漏极连接，另一端与TEC（7）正端和电容（6）的一端连接，TEC（7）的负端与第二PMOS（2）漏极连接，电容（6）的另一端接地，所述第一PMOS（1）、第二PMOS（2）、第一NMOS（3）和第二NMOS（4）的基极接PWM信号。
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