[发明专利]H桥TEC控制电路在审
| 申请号： | 201710120543.0 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106787735A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张真波;郑文强 | 申请（专利权）人： | 成都优博创通信技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H02M1/14;F25B21/02 |
| 代理公司： | 泰和泰律师事务所51219 | 代理人： | 曾祥坤,杨栩 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tec 控制电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种H桥TEC控制电路，包括第一PMOS（1）、第二PMOS（2）、第一NMOS（3）和第二NMOS（4），所述第一PMOS（1）与第二PMOS（2）的源极连接VCC，第一PMOS（1）的漏极与第一NMOS（3）的源极连接，第二PMOS（2）的漏极与第二NMOS（4）的源极连接，第一NMOS（3）和第二NMOS（4）的漏极接地；其特征在于：还包括一电感（5）与电容（6），所述电感（5）一端与第一PMOS（1）漏极连接，另一端与TEC（7）正端和电容（6）的一端连接，TEC（7）的负端与第二PMOS（2）漏极连接，电容（6）的另一端接地，所述第一PMOS（1）、第二PMOS（2）、第一NMOS（3）和第二NMOS（4）的基极接PWM信号。
2.如权利要求1所述的H桥TEC控制电路，其特征在于：TEC制冷时，电流由TEC正端流向TEC负端，第二NMOS（4）为高电平，第二PMOS（2）和第一NMOS（3）为低电平，调节第一PMOS（1）的占空比来控制电流大小；TEC加热时，电流由TEC负端流向TEC正端，第一NMOS（3）为高电平，第一PMOS（1）和第二NMOS（4）为低电平，通过调整第二PMOS（2）的占空比来控制电流大小。
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