[发明专利]一种硅谐振压力传感器的补偿方法有效

专利信息
申请号: 201710098516.8 申请日: 2017-02-22
公开(公告)号: CN106932125B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 王军波;朱林;陈德勇;谢波 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所;中国科学院大学
主分类号: G01L1/10 分类号: G01L1/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种硅谐振压力传感器的补偿方法,利用单片机定时器对硅谐振压力传感器进行同步频率测量,能够实现同步采集两个谐振器的频率,提高了压力传感器的测量精度;采用最小二乘支持向量机的非线性模型实现全温度全压力范围内的温度补偿,相比多项式拟合进行温度补偿的方法,提高了压力传感器的补偿精度;采用最小二乘支持向量机的方法能较好的进行压力的时间漂移补偿,提高了压力的补偿精度。
搜索关键词: 一种 谐振 压力传感器 补偿 方法
【主权项】:
一种硅谐振压力传感器的补偿方法,其特征在于,包括:步骤S1:对硅谐振压力传感器的双谐振器结构的谐振频率进行同步采集,得到标定数据;步骤S2:对所述标定数据进行归一化处理;步骤S3:建立最小二乘支持向量机的非线性模型并进行初始化;步骤S4:使用归一化后的标定数据对所述最小二乘支持向量机的非线性模型进行参数优化;步骤S5:采用优化后的参数训练所述最小二乘支持向量机的非线性模型,得到训练后的最小二乘支持向量机的非线性模型;步骤S6:利用所述训练后的最小二乘支持向量机的非线性模型,得到硅谐振压力传感器温度补偿后的压力值。
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