[发明专利]一种可控式电平位移电路有效

专利信息
申请号: 201710098096.3 申请日: 2017-02-23
公开(公告)号: CN106899289B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 方健;刘振国;张波;杨舰;王科竣;冯磊;陈智昕;雷一博 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种可控式电平位移电路。相对于传统的电平位移电路,本发明的方案实现了可控式的电平位移电路,即输出高低电平同时可控。其中输出高电平由电源电压控制,输出低电平由调制模块输出函数控制。从而克服了传统的电平位移电路只能输出为固定电平的缺陷。由此可以避免当供电电压在较大的范围内变化时,驱动下一级MOS管栅极时可能出现的栅极击穿现象。另一方面,由于本发明提出的可控式电平位移电路的输出可控,从而也实现了传统的电平位移电路无法实现的下一级输出信号的上升时间可控。以上两方面使得本发明的方案克服了在采用传统的电平位移电路时导致的对供电电压变化范围限制的缺陷。
搜索关键词: 一种 可控 电平 位移 电路
【主权项】:
1.一种可控式电平位移电路,包括调制模块、电平位移模块和输出模块,其特征在于,所述电平位移模块由第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3构成;第一PMOS管MP1的源极接电源,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第二PMOS管MP2的源极接电源,其栅极接第三PMOS管MP3的漏极;第三PMOS管MP3的源极接电源,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第四PMOS管MP4的源极接第一PMOS管MP1的漏接,其栅极接调制模块的输出端;第五PMOS管MP5的源极接第二PMOS管MP2的漏极,其栅极接调制模块的输出端;第六PMOS管MP6的源极接第三PMOS管MP3的漏极,其栅极接调制模块的输出端;第一NMOS管MN1的漏接接第四PMOS管MP4的漏极,其栅极接外部低压输出信号的反相信号,其源极接地;第二NMOS管MN2的漏极接第五PMOS管MP5的漏极,其栅极接外部低压输出信号,其源极接地;第三NMOS管MN3的漏极接第六PMOS管MP6的漏极,其栅极接外部低压输出信号的反相信号,其源极接地;第四PMOS管源极与第一PMOS管漏极的连接点为电平位移模块的输出端;所述调制模块用于产生所需要的控制函数,其输出为:Vset=k*VDD+Vcont0k,Vcont0=constant当k=0,调制模块产生一个固定电压Vcont0;当0
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710098096.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

tel code back_top