[发明专利]基准电压源及其正温度系数电压生成电路有效
| 申请号： | 201710093733.8 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106873704B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 戴贵荣;宋美丽 | 申请（专利权）人： | 深圳市爱协生科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种正温度系数电压生成电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成电流镜结构；所述三极管对包括第一三极管和第二三极管；所述第二三极管的个数大于所述第一三极管的个数。上述正温度系数电压生成电路，通过第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元的相互作用，最终可以在输出端得到一个正温度系数电压。上述正温度系数电压生成电路去掉了运算放大器，从而可以完全消除由于运算放大器所产生的失调电压所带来的影响，进而可以确保基准电压源的输出电压具有较高的精度，满足高精度的使用场景需求。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 及其 温度 系数 生成 电路 | ||
【主权项】：
1.一种正温度系数电压生成电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、三极管对和分压单元；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接后作为输入端与第一电源输入端连接；所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成电流镜结构；所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第一NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的栅极与第二电流源输入端连接；所述第三PMOS管的源极与所述第一电源输入端连接；所述第三PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述三极管对包括第一三极管和第二三极管；所述第一三极管的集电极与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极连接且与所述第二PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的集电极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述第二三极管的发射极与所述分压单元串联后接地；所述第二三极管的发射极还作为所述正温度系数电压生成电路的输出端，以输出正温度系数电压。
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