[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201710090928.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107093632A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | G·施密特;E·勒尔彻 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱,吕世磊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括将第一导电类型的掺杂剂掺入到包括第一导电类型的基础掺杂的半导体衬底的附近本体区域部分中。第一导电类型的掺杂剂的掺入通过半导体衬底的边缘区域的至少一部分处的掩模结构来掩蔽。该方法还包括在半导体衬底中形成第二导电类型的晶体管结构的本体区域。半导体衬底的附近本体区域部分被定位成与晶体管结构的本体区域相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法(100)，所述方法包括：将第一导电类型的掺杂剂掺入(110)到包括所述第一导电类型的基础掺杂的半导体衬底的附近本体区域部分中，其中所述第一导电类型的所述掺杂剂的掺入通过所述半导体衬底的边缘区域的至少一部分处的掩模结构来掩蔽；以及在所述半导体衬底中形成(120)第二导电类型的晶体管结构的本体区域，其中所述半导体衬底的所述附近本体区域部分被定位成与所述晶体管结构的所述本体区域相邻。
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