[发明专利]聚吡咯表面修饰一维硅基气敏材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710090800.0 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN108459060B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;崔震;姜芸青;张天一 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/04;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开聚吡咯表面修饰一维硅基气敏材料及其制备方法，利用化学刻蚀和二次化学刻蚀处理单晶硅片，以使单晶硅片表面产生一维硅纳米线阵列并进行二次刻蚀微结构改性处理；将引发剂溶液和吡咯单体溶液先后旋涂在经步骤2处理的单晶硅片，以使在一维硅纳米线阵列中原位引发吡咯聚合成聚吡咯。基于本发明方法，可以使有机物聚吡咯颗粒在硅纳米线表面形成均匀修饰，获得复合改性效果显著的有机物‑一维硅基纳米复合气敏材料，该敏感材料可以实现对NH |
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| 搜索关键词： | 吡咯 表面 修饰 一维硅基气敏 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.聚吡咯表面修饰一维硅基气敏材料，其特征在于，在化学刻蚀后在单晶硅片表面产生硅纳米线，硅纳米线的平均长度为35μm—40μm，平均直径为700nm—900nm，经二次刻蚀处理后硅纳米线表面呈现出粗糙结构，原位聚合生成聚吡咯颗粒的平均直径为8—12nm，均匀的分布于粗糙的一维硅基上形成表面凸起，按照下述步骤进行制备：步骤1，利用化学刻蚀处理单晶硅片，以使单晶硅片表面产生垂直于单晶硅片表面的一维硅纳米线阵列；步骤2，利用化学刻蚀处理经步骤1处理的单晶硅片，以使一维硅纳米线阵列进行二次刻蚀微结构改性处理；步骤3，将引发剂溶液和吡咯单体溶液先后旋涂在经步骤2处理的单晶硅片，以使在一维硅纳米线阵列中原位引发吡咯聚合成聚吡咯，形成具有聚吡咯表面修饰一维硅纳米线阵列的单晶硅片，即为聚吡咯表面修饰一维硅基气敏材料。
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