[发明专利]一种正负输出电压抑制电路及方法

摘要

本发明提供了一种正负输出电压抑制电路及方法，其由正端电压基准源、正端采样反馈、正端电压比较电路、PMOSFET管、负端电压基准源、负端采样反馈、负端电压比较电路、NMOSFET管组成，本发明电路的PMOSFET管、NMOSFET管长期工作在饱和区，漏、源极间压降极低，发热量极低，只有当直流供电系统的输出电压超出后级电路允许的最大工作电压时，PMOSFET管、NMOSFET管才会工作在截止区或线性区，这时漏、源极间才有电压降，转换成热能耗散掉,这种正负输出电压抑制电路应用灵活，原理简单，导通内阻低，电压降小，发热量小，易于实现，产品可靠性高，结构紧凑，体积小巧。

主权项

一种正负输出电压抑制电路，其特征在于：由正端电压基准源、正端采样反馈、正端电压比较电路、PMOSFET管、负端电压基准源、负端采样反馈、负端电压比较电路、NMOSFET管组成；正端电压基准源由第一电阻R1、第一电压基准IC1、第一电容C1组成；其中，第一电阻R1的一端与输入正电源+Vin相连，另一端与第一比较器IC2的反相输入脚（2）相连；第一电压基准IC1一端与第一比较器IC2的反相输入脚（2）相连，另一端与公共地COM相连；第一电容C1一端与第一比较器IC2的反相输入脚（2）相连，另一端与公共地COM相连；正端采样反馈由第四电阻R4、第五电阻R5组成；其中，第四电阻R4的一端与正端电压设定值+Vout相连，另一端与第一比较器IC2的同相输入脚（3）相连；第五电阻R5的一端与第一比较器IC2的同相输入脚（3）相连，另一端与公共地COM相连；正端电压比较电路由第二电阻R2、第三电阻R3、第一比较器IC2组成；其中，第二电阻R2的一端与输入正电源+Vin相连，另一端与PMOSFET管T1的栅级G1相连；第三电阻R3的一端与PMOSFET管T1的栅级G1相连，另一端与第一比较器IC2的输出脚（6）相连；第一比较器IC2脚（7）与输入正电源+Vin相连，第一比较器IC2脚（4）与公共地COM相连；PMOSFET管由第二电容C2、P沟道场效应管T1组成；其中，第二电容C2一端与PMOSFET管T1的栅级G1相连，另一端与正端电压设定值+Vout相连；PMOSFET管T1的源级S1与输入正电源+Vin相连, PMOSFET管T1的漏级D1与正端电压设定值+Vout相连；负端电压基准源由第六电阻R6、第二电压基准IC3、第三电容C3组成；其中，第六电阻R6的一端与输入负电源‑Vin相连，另一端与第二比较器IC4的反相输入脚（2）相连；第二电压基准IC3的一端与第二比较器IC4的反相输入脚（2）相连，另一端与公共地COM相连；第三电容C3的一端与第二比较器IC4的反相输入脚（2）相连，另一端与公共地COM相连；负端采样反馈由第九电阻R9、第十电阻R10组成；其中，第九电阻R9的一端与公共地COM相连，另一端与第二比较器IC4的同相输入脚（3）相连；第十电阻R10的一端与第二比较器IC4的同相输入脚（3）相连，另一端与负端电压设定值‑Vout相连；负端电压比较电路由第七电阻R7、第八电阻R8、第二比较器IC4组成；其中，第七电阻R7的一端与第二比较器IC4的输出脚（6）相连，另一端与NMOSFET管T2的栅级G2相连；第八电阻R8的一端与输入负电源‑Vin相连，另一端与NMOSFET管T2的栅级G2相连；第二比较器IC4脚（7）与公共地COM相连，第二比较器IC4脚（4）与输入负电源‑Vin相连；NMOSFET管由第四电容C4、N沟道场效应管T2组成；其中，第四电容C4的一端与NMOSFET管T2的栅级G2相连，另一端与负端电压设定值‑Vout相连；NMOSFET管T2的源级S2与输入负电源‑Vin相连, NMOSFET管T2的漏级D2与负端电压设定值‑Vout相连。