[发明专利]旱地春玉米一膜两用的种植方法在审

专利信息
申请号: 201710081259.7 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN106613294A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 刘恩科;张燕卿;严昌荣;张雪丽;梅旭荣;刘勤;陈保青 申请(专利权)人: 中国农业科学院农业环境与可持续发展研究所
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 代理人: 刘玲玲
地址: 100081 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种旱地春玉米一膜两用的种植方法,第一年玉米收获后地膜不回收,第二年继续使用,一次覆膜两次使用,同时还采取垄作和秸秆还田方式。本发明的有益之处在于(1)一次覆膜两次使用,既提高了地膜的利用率,又减少了地膜残留给农业生态环境造成的污染,同时与一膜一年一用模式相比减少了冬季农田裸地水分无用蒸发、提高了旱区农业的产投比,是一种旱作农业绿色环保的种植方法;(2)秸秆还田不仅减少了土壤无效蒸发引起的水分散失,对北方旱区农田水分保持和提高水分利用率起到了积极的作用,而且有效的调节了土壤的水、肥、气、热内环境,同时还提高了土壤有机质的含量,使种地与养地有机结合,符合生态农业的发展目标。
搜索关键词: 旱地 玉米 两用 种植 方法
【主权项】:
旱地春玉米一膜两用的种植方法,其特征在于,包括以下步骤:Step1:种植春玉米之前,对田地进行翻耕和施肥;Step2:翻耕后,对田地进行起垄,垄幅总宽90cm‑110cm、大垄宽60cm‑70cm、小垄宽30cm‑40cm、垄间距15cm、垄高15cm,起垄的同时对田地进行覆盖地膜,采取双垄全膜覆盖模式;Step3:覆盖地膜之后,在垄沟处播种,每穴2粒种子,当地平均年降水量小于350mm时,种植密度为4.50万株/hm2‑5.25万株/hm2,当地平均年降水量大于等于350mm且小于450mm时,种植密度为5.25万株/hm2‑6.0万株/hm2,当地平均年降水量大于等于450mm时,种植密度为6.0万株/hm2‑6.75万株/hm2;Step4:覆盖地膜7天后,在地膜上打渗水孔;Step5:种子长成幼苗后,对幼苗进行田间管理;Step6:对第一年的春玉米进行合理晚收,地膜不采取任何处理措施,将春玉米砍倒的秸秆直接平铺在覆盖着地膜的田地上;Step7:第二年春季,移走田地上未完全分解的春玉米的秸秆,在同一块田地上直接种植春玉米,种植密度与第一年相同,当地平均年降水量小于350mm时,将种子播种在垄沟内,播种位置为第一年的春玉米两个相邻播种处中间的位置,或者,移除第一年收获后残留的根茬,将种子播种在第一年的春玉米播种处;当地平均年降水量大于等于350mm时,将种子播种在垄上;Step8:播种春玉米的同时进行施肥,第二年的播种位置在垄沟内时,施肥位置为第二年相邻播种处中间的位置,第二年的播种位置在垄上时,施肥位置为第一年的播种处,施肥后覆土;Step9:追肥、除草、防虫;Step10:对第二年春玉米进行晚收,收获后及时移除第一年覆盖的地膜。
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