[发明专利]一种基于氧化镓单晶的辐射探测器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种基于氧化镓单晶材料的辐射探测器及其制备方法。该辐射探测器以高阻氧化镓单晶为基体，其上下表面和侧面为SiO₂保护层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层下表面形成的掩膜图形中依次为锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层、钛层和金层；在氧化镓单晶的SiO₂保护层上表面形成的掩膜图形中依次为镍层、钛层和金层，各层与上表面存留的SiO₂保护层存在重叠区域。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓辐射探测器的制备难题，实现新型氧化镓基辐射探测器的研制。

主权项

1.一种基于氧化镓单晶的辐射探测器，其特征在于，该辐射探测器以高阻氧化镓单晶为基体，其表面为SiO2保护层；在氧化镓单晶的SiO2保护层下表面形成的掩膜图形中依次为锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层、钛层和金层；在氧化镓单晶的SiO2保护层上表面形成的掩膜图形中依次为镍层、钛层和金层，各层与上表面存留的SiO2保护层存在重叠区域，重叠区域的径向间距为1μm～1mm；所述的SiO2保护层的厚度为10nm～100μm；氧化镓单晶的SiO2保护层下表面中各金属层厚度如下：所述的锡原子扩散形成的锡掺杂氧化镓层即为锡原子扩散到氧化镓单晶中所形成的锡掺杂氧化镓层，其厚度为1nm～1mm；所述的钛层的厚度为1nm～10μm；所述的金层的厚度为1nm～10μm；氧化镓单晶的SiO2保护层上表面中各金属层厚度如下：所述的镍层的厚度为1nm～10μm；所述的钛层的厚度为1nm～100nm；所述的金层的厚度为1nm～10μm。