[发明专利]一种CMOS传感器测试方法在审

专利信息
申请号: 201710075470.8 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN106841989A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 张家港市欧微自动化研发有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司32261 代理人: 胡思棉
地址: 215600 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种CMOS传感器测试方法,主要解决现有技术中存在的不能够自动测试多种光照条件下的图像质量,不能对漏电现象进行测试的技术问题。本发明通过采用用于采集数据的数据采集装置及与用于控制所述数据采集装置统计测试总数量及各类不良数量的软件平台,数据采集装置包括待测CMOS传感器,开短路测试模块,与开短路测试模块连接的图形测试模块,漏电测试模块及系统电源模块的技术方案,较好的解决了该问题,可用于CMOS传感器的工业生产中。
搜索关键词: 一种 cmos 传感器 测试 方法
【主权项】:
一种CMOS传感器的测试方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:(1)连接测试系统;(2)通过所述上位机发送指令,进行CMOS传感器开短路测试,进行开短路不良分类;(3)通过所述上位机发送指令,进行CMOS传感器的图像测试,进行图像不良分类;(4)预设电流阈值,通过所述上位机发送指令,进行CMOS传感器的漏电测试,通过处理器让CMOS传感器处于PWDN状态,测试CMOS传感器电源Pin上电流Ip,Ip大于所述电流阈值时,判断为漏电不良;(5)所述测试系统自动统计CMOS传感器测试总数量及各不良数量;(6)所述测试系统自动输出测试结果及统计结果,自动统计输出故障次数,输出格式为Excel报表格式。
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