[发明专利]经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置

摘要

本发明涉及经反射光匹配和表面动力模型优化蚀刻轮廓的方法和装置。公开了优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数(B)将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数(A)相关联。在一些实施方式中，所述方法可以包括：修改B的一个或多个值，以便相对于A的一组或者多组成组的值减少指示在从模型生成的计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差的尺度。在一些实施方式中，计算所述尺度可以包括：将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。还公开了实现这样的优化计算机模型的蚀刻系统。

主权项

一种优化计算机模型的方法，其通过使用多个模型参数将半导体衬底上的特征的蚀刻轮廓与成组的独立输入参数相关联，所述方法包括：(a)为所选定的待优化的成组的所述模型参数确定成组的值；(b)为所选定的成组的独立输入参数确定多组成组的值以进行优化；(c)对于在(b)中所指定的每组成组的值，接收从使用在(b)中所指定的所述成组的值执行的实验蚀刻工艺的光学测量产生的实验反射光谱；(d)对于在(b)中所指定的每组成组的值，由所述模型使用在(a)和(b)中所指定的所述成组的值生成计算反射光谱；以及(e)修改在(a)中为所选定的成组的所述模型参数所指定的一个或多个值，并且用经修改的所述成组的值重复(d)，以便相对于用于在(b)中所指定的所选定的所述成组的独立输入参数的一组或者多组成组的值，减少指示在(c)中所接收的所述反射光谱和在(d)中生成的对应的计算反射光谱之间的差的尺度；其中在(e)中计算所述尺度包括：(1)计算所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱之间的差并将所述差投射到经降维的子空间上；并且/或者(2)将所述计算反射光谱和对应的实验反射光谱投射到经降维的子空间上，并且计算投射到所述子空间上的所述反射光谱之间的差。