[发明专利]间隙填充的工艺方法在审
| 申请号： | 201710068676.8 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN107039332A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吴建荣;周洁鹏;季伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种间隙填充的工艺方法，针对常规的间隙进行HDP CVD填充产生的空洞问题，本发明首先采用亚常压化学气相淀积(SA‑CVD)一层热氧化层，然后再进行HDP CVD填充。本发明利用亚常压化学气相淀积良好的台阶覆盖特性将凹凸的表面填平，然后再进行HDP CVD填充，解决了空洞问题。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种间隙填充的工艺方法，其特征在于：首先采用亚常压化学气相淀积一层热氧化层，然后再进行HDP CVD填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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