[发明专利]一种选择性去除铵的离子筛及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710066417.1 申请日: 2017-02-07
公开(公告)号: CN108393061A 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 陈亦力;李锁定;李天玉;莫恒亮;杨志涛;孟晓冬 申请(专利权)人: 北京碧水源膜科技有限公司
主分类号: B01J20/04 分类号: B01J20/04;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101407 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种选择性去除铵的离子筛及其制备方法,属于无机材料领域,所述离子筛为锰系2×2晶格结构,对半径在范围内的离子有特异选择性,可选择性去除水中铵离子,采用1~5mol L‑1氯化钠进行再生即可循环使用。本发明利用钠离子作为模板离子经过程序升温控制材料成晶及晶体生长过程,使得锰系氧化物沿着钠离子生长,最终形成以二氧化锰为晶格的2×2的晶型结构。所述离子筛选择性好、吸附量大、再生性能好、不需复杂的改性处理即可使用,具有工业应用的价值。
搜索关键词: 离子筛 选择性去除 钠离子 制备 氯化钠 晶体生长过程 锰系氧化物 程序升温 二氧化锰 改性处理 工业应用 晶格结构 晶型结构 控制材料 模板离子 无机材料 再生性能 吸附量 铵离子 晶格 锰系 水中 离子 再生 生长
【主权项】:
1.一种选择性去除铵的离子筛,其特征在于,所述离子筛具有以下特点:所述离子筛为锰系2×2晶格结构;所述离子筛为钠型铵离子筛,不需要用高浓度酸进行质子化预处理即可使用;所述离子筛对半径在范围内的离子有特异性选择,可选择性吸附水中铵离子;所述离子筛采用1~5mol L‑1氯化钠进行再生即可循环使用,不需要使用浓酸进行再生。
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