[发明专利]一种Cu2O纳米阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201710064972.0 | 申请日： | 2017-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN106835242B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 江瑶瑶;钟福新;高云鹏;黎燕;莫德清 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀，配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟，即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801～0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短，通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu2o 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Cu2O纳米阵列的制备方法，其特征在于具体步骤为：将含有8.8 mmol/L ～ 0.115 mol/L的NH4F溶液、7.54 mol/L ～ 7.99 mol/L的甘油水溶液与0.027 mmol/L ～ 0.295 mmol/L的十六烷基三甲基溴化铵溶液的混合溶液作为电解液；以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在15 V～35 V的阳极氧化电压下氧化2 ～18分钟，即在Cu片上获得光电压达到0.0801 V～0.2693 V的Cu2O纳米阵列。
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