[发明专利]一种光驱动形变材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710064088.7 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN108396381B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李琦;杨炜沂;冯凡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C30B29/16;C30B29/60;C30B1/02;C22C14/00;C22F1/18 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光驱动形变材料及其制备方法和应用，属于无机非金属纳米材料制备、探测器以及激励器技术领域。利用体相金属元素掺杂的技术手段，将具有光生电荷存储与释放能力的元素均匀掺杂进半导体氧化物晶体中，进而通过掺杂元素选择性地存储与释放光生电荷的方式调整半导体氧化物的晶体结构，实现氧化物晶格的可逆膨胀，将光学信号转换为力学信号，从而可以直接用于光波的探测器、激励器以及可变光学窗口领域，同时解决了传统光学探测器材料只能将光学信号转换成电信号的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 形变 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光驱动形变材料，其特征在于：所述光驱动形变材料为具有光生电荷存储与释放能力的金属元素体相掺杂的半导体氧化物纳米材料；所述光驱动形变材料通过掺杂元素选择性地存储与释放光生电荷的方式调整半导体氧化物纳米材料的晶体结构，实现半导体氧化物纳米材料晶格的可逆膨胀，从而将光学信号转换为力学信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710064088.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
