[发明专利]耐磨元件以及制造该耐磨元件的方法在审

专利信息
申请号: 201710061582.8 申请日: 2011-02-10
公开(公告)号: CN106966735A 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 高尾实 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: C04B35/596 分类号: C04B35/596;C04B35/64;F16C33/32;F16C33/62
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 张海涛,于辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种由主要由氮化硅形成的陶瓷烧结体所形成的耐磨元件,该陶瓷烧结体含有10‑3500ppm的按照Fe元素计的Fe成分、大于1000ppm至2000ppm的按照Ca元素计的Ca成分、和1‑2000ppm的按照Mg元素计的Mg成分,其中氮化硅晶粒的β‑相比是95%或者更大,氮化硅晶粒的最大长径是40μm或者更低,通过XRD(X射线衍射方法)没有检测出存在于晶界相中的Ca成分,并且该耐磨元件在维氏硬度、断裂韧性和密度中每个的离差处于±10%的范围。根据这种结构,可以获得一种包含陶瓷烧结体的耐磨元件,其除了优异的耐磨性能之外,还具有改进的研磨工作性能。
搜索关键词: 耐磨 元件 以及 制造 方法
【主权项】:
一种由主要由氮化硅组成的陶瓷烧结体所形成的耐磨元件,所述陶瓷烧结体含有1‑5质量%的按照稀土元素计的稀土成分、1‑5质量%的按照Al元素计的Al成分、10‑3500质量ppm的按照Fe元素计的Fe成分、大于1000质量ppm至2000质量ppm的按照Ca元素计的Ca成分、和1‑2000质量ppm的按照Mg元素计的Mg成分,其中氮化硅晶粒的β‑相比是95%或者更大,氮化硅晶粒的最大长径是40μm或者更低,通过在使用Cu靶CuKα、X射线管电压是40kV、X射线管电流是100mA的条件下进行的XRD分析没有检测到存在于晶界相中的Ca成分及Mg的化合物,并且所述陶瓷烧结体的维氏硬度为1400或者更大,断裂韧性为5.5MPa·m1/2或者更大,密度是3.18g/cm3或者更大,所述耐磨元件的硬度的离差处于±8%的范围内,所述耐磨元件的断裂韧性的离差处于±7%的范围内,所述耐磨元件的密度的离差处于±0.5%的范围内,并且其中构成所述耐磨元件的氮化硅晶粒的平均长径比是2或者更大,所述平均长径比定义为氮化硅晶粒的各长径比的平均值,并且所述陶瓷烧结体包含表面粗糙度Ra是0.1μm或者更低的研磨的表面,并且Mg的化合物和Ca的化合物变成无定形相。
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