[发明专利]磁器件有效
| 申请号： | 201710056924.7 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107611256B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 金基雄;金起园;吴世忠;朴容星;金柱显 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁器件包括自由层；钉扎层；隧道势垒，设置在自由层和钉扎层之间；极化增强层，设置在隧道势垒和钉扎层之间；以及阻挡层，设置在极化增强层和钉扎层之间，其中阻挡层包括第一扩散陷阱层和设置在第一扩散陷阱层上的第二扩散陷阱层。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
【主权项】：
一种磁器件，包括：自由层；钉扎层；隧道势垒，设置在所述自由层和所述钉扎层之间；极化增强层，设置在所述隧道势垒和所述钉扎层之间；以及阻挡层，设置在所述极化增强层和所述钉扎层之间，其中所述阻挡层包括第一扩散陷阱层和设置在所述第一扩散陷阱层上的第二扩散陷阱层。
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