[发明专利]制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法

摘要

制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法，探测器能探测中心在λ10的波长范围[λ8；λ14],含能探测该范围的探测设备和在预压下容纳其的气密封装,其由衬底、附接其的侧壁和附接侧壁的盖形成且含在该范围透明的与设备竖对齐的部分,包括:在衬底上形成该设备,包括沉积完全包埋其的牺牲层；其上形成盖,由在该范围中透明的第一、二和三光学结构堆叠形成,第二和三结构有在λ10≥3.4和≤2.3的等效折射率；形成含至少第一结构的盖的部分后,形成穿过盖的部分的至牺牲层的孔,穿过其施加蚀刻完全去除牺牲层,第一结构的光厚度≥λ10/10,在λ10的等效折射率在牺牲层上形成的第一结构的表面对去除牺牲层的蚀刻是惰性的。

主权项

一种制造探测器的方法，所述探测器能够探测以波长λ10为中心的波长范围[λ8；λ14]，所述探测器包括能够探测所述范围[λ8；λ14]的探测设备和在预先确定的压力下使所述设备容纳在其中的气密封装，所述封装由衬底、附接到所述衬底的侧壁和附接到所述侧壁的上盖形成，且包括在所述范围[λ8；λ14]中透明的与所述设备竖直对齐的部分，所述方法包括：‑在所述衬底上形成所述设备，所述形成包括沉积完全地包埋所述设备的牺牲层；‑在所述牺牲层上形成所述盖，所述盖由在所述范围[λ8；λ14]中是透明的第一光学结构、第二光学结构和第三光学结构的堆叠形成，所述第二光学结构和所述第三光学结构具有在波长λ10处分别大于或等于3.4和小于或等于2.3的等效折射率；‑在形成所述盖的包括至少所述第一光学结构的部分之后，形成穿过所述盖的所述部分的通向所述牺牲层的开孔，而后穿过所述开孔施加蚀刻以完全地去除所述牺牲层，其特征在于：‑所述第一光学结构的光学厚度大于或等于λ10/10；‑所述第一光学结构的在波长λ10处的等效折射率小于或等于2.6；以及‑在所述牺牲层上形成的所述第一光学结构的表面对被实施来去除所述牺牲层的所述蚀刻是惰性的。