[发明专利]光刻曝光装置及其焦面测量装置和方法有效
| 申请号： | 201710048840.9 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108333880B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 孙朋 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻曝光装置及其焦面测量装置和方法，该焦面测量装置包括：光源、光信号探测器和测量光栅，其中，所述测量光栅位于光刻曝光装置的基底表面，所述光源发出照明光束投射到基底表面的测量光栅上，并发生衍射，所述光信号探测器接收基底表面的衍射光。本发明通过向基底上的测量光栅投射光束，并获取经衍射后的衍射光的能量，然后分析能量与高度的关系，从而获得最佳像面的方法，操作方便，测量速度快且不会引入人为因素、精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 装置 及其 测量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻曝光装置的焦面测量装置，其特征在于，包括：光源、光信号探测器和测量光栅，其中，所述测量光栅位于光刻曝光装置的基底表面，所述光源发出照明光束投射到基底表面的测量光栅上，并发生衍射，所述光信号探测器接收基底表面的衍射光。
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