[发明专利]一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法

摘要

本发明还提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；沟槽，形成于体接触区域；金属硅化物，基于沟槽连接第一个N型源区及P+型衬底；介质层，所述介质层中打开有第二个N型源区的接触窗口；以及填充于所述接触窗口内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，使得漂移区区域电阻可以大大降低，同时保证耐压不变。将其中一个源区的接触通过金属硅化物导电的方式引到芯片背面，封装时可与基底焊接，省掉一个打线电阻，在极低的内阻要求下非常有效，而且器件整体结构非常简洁。

主权项

一种用于锂电保护的开关器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1)提供一P+型衬底，于所述P+型衬底表面形成P‑型外延层；2)于所述P‑型外延层中形成N型阱区；3)于所述N型阱区中形成相隔排列的两个P型阱区；4)制作出两个栅极结构，各栅极结构横跨于N型阱区及P型阱区之间；5)于两个栅极结构之间形成N‑型漂移区；6)于所述两个栅极结构两侧的P型阱区中分别形成N型源区及P+型接触区；7)定义体接触区域，并刻蚀所述体接触区域的P‑型外延层形成直至所述P+型衬底的沟槽；8)于所述沟槽表面及与其相邻的P型阱区、N型源区及P+型接触区表面形成金属层，并进行退火形成金属硅化物，以实现第一个N型源区与P+型衬底的电性连接；9)于器件表面形成介质层，于所述介质层中打开第二个N型源区的接触窗口，于所述接触窗口内填充电极材料形成源区电极，完成开关器件的电性引出。