[发明专利]缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法在审
| 申请号： | 201710045249.8 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106732671A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谢宇;刘玉应;凌云;戴玉华 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;C01B3/02 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 金一娴 |
| 地址： | 330000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及不同制备条件的二维MoS2纳米层催化剂的制备方法，通过四硫代钼酸铵和N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)水热法MoS2单体。本发明二维MoS2纳米层光催化剂具有非常好的光催化性能，在常温、常压和光照下，就能快速制取氢气，且具有持久的光催化活性。本产品通过不同温度制备得到了一种廉价高效的光催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 诱导 光催化 h2 生产 二维 mos2 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种缺陷诱导高光催化H2生产二维MoS2纳米层的制备方法，其特征为：步骤如下：四硫代钼酸铵在200℃合成二硫化钼：称取1mmol的四硫代钼酸铵，加入35ml的N,N‑二甲基甲酰胺，超声45min，然后将溶液移入50ml的聚四氟乙烯反应釜中，在200℃的鼓风干燥箱中反应24h，待在室温自然冷却后，离心分离，分别用去离子水和无水乙醇各洗涤3次，最后在80℃的真空干燥箱中干燥24h，最终的产物为二维MoS2纳米层单体，标记为MoS2‑1。
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