[发明专利]一种具有腔面非注入区结构的半导体激光器制作方法

摘要

本发明公开了一种具有腔面非注入区结构的半导体激光器制作方法，其主要步骤包括（1）在半导体激光器外延片正面制作带状p型欧姆接触；（2）依次刻蚀获得条形p型欧姆接触和脊型波导结构；（3）沉积绝缘介质并制作电注入窗口；（4）制作p型欧姆接触的加厚电极；（5）将衬底减薄抛光后在背面制作n型欧姆接触；（6）解理形成半导体激光器的腔面，在前后腔面分别蒸镀增透膜、高反膜。本发明可以在腔面附近实现非注入区结构以及高质量的欧姆接触，提高半导体激光器的最大输出光功率，而且制作工艺简单、易于实现，在半导体激光器领域特别是大功率半导体激光器具有良好的应用前景。

主权项

一种具有腔面非注入区结构的半导体激光器制作方法，其特征在于包括以下步骤：步骤（1），通过光刻、淀积金属、剥离工艺，在半导体激光器外延片的正面制作出带状p型欧姆接触，所述半导体激光器上不含p型欧姆接触的区域为非注入区；步骤（2），利用光刻技术制作出用于制备半导体激光器脊型波导结构的掩膜，依次刻蚀半导体激光器外延片表面的金属和半导体材料，获得半导体激光器条形的p型欧姆接触和脊型波导结构；步骤（3），在半导体激光器外延片表面沉积一层绝缘介质，利用光刻及刻蚀技术，在p型欧姆接触的顶部制作出电注入窗口；步骤（4），通过光刻、溅射金属、剥离工艺制作p型欧姆接触的加厚电极；步骤（5），对半导体激光器外延片的衬底进行减薄抛光，然后清洗干净，再在衬底背面制作n型欧姆接触；步骤（6），解理形成半导体激光器的谐振腔腔面，并在腔面的前后分别蒸镀或者淀积增透膜和高反膜。