[发明专利]一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法

摘要

一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤(1)将硅或III‑V族半导体材料的工件进行清洗干燥；(2)在工件上沉积单层聚苯乙烯(PS)小球，通过反应离子刻蚀减小PS小球的直径后，依次蒸镀钛(Ti)和金(Au)层；(3)根据不同的刻蚀角度配置相应的刻蚀液，刻蚀液可沿着工件的某一晶向进行刻蚀；(4)将工件放入对应起始角度的刻蚀液中，通过刻蚀时间控制刻蚀长度；(5)取出工件清洗干燥处理后，浸入预设刻蚀角度对应的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度；刻蚀后进行清洗干燥处理；若需多个弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)；本发明实现在工件上形成完全可控弯折角的折点纳米线阵列，操作简单且成本低廉。

主权项

一种完全可控弯折角的折点纳米线阵列的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将硅或III‑V族半导体材料的工件进行清洗，然后干燥待用；(2)在步骤(1)得到的工件上沉积单层聚苯乙烯(PS)小球，并通过反应离子刻蚀减小PS小球的直径，使原来致密排列的PS小球变得相对疏松；然后，在工件上表面依次蒸镀钛(Ti)和金(Au)层，由于PS小球起到了掩模的作用，因此可在工件上产生有序排列的贵金属网孔；(3)根据不同的刻蚀角度配置相应的刻蚀液，所述刻蚀液可沿着所述工件的某一晶向进行刻蚀，形成相应的孔道；(4)将所述工件放入对应起始角度的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度，以此确定弯折点；(5)将工件取出，经过清洗干燥处理后，浸入预设刻蚀角度对应的刻蚀液中进行刻蚀，通过刻蚀时间控制刻蚀长度，以此确定弯折点，形成可精细可调弯折角的折点，刻蚀后进行清洗干燥处理；若需要多个弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)；所述刻蚀液的组分包括：氢氟酸、氧化剂、水和添加剂，其通过改变添加剂的材质和用量来控制所述刻蚀液对工件的刻蚀角度；所述添加剂为丙三醇。