[发明专利]用于测试ISFET阵列的方法和装置有效
| 申请号： | 201710023469.0 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106932456B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | J.博兰德;K.G.法伊夫;M.J.米尔格鲁 | 申请（专利权）人： | 生命科技公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01R31/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张健;姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了化学敏感的晶体管器件(诸如ISFET装置)的测试，无需将所述装置暴露于液体。在一个实施方案中，本发明执行第一试验来计算晶体管的电阻。基于所述电阻，本发明执行第二试验，以使试验晶体管在多个模式之间转变。基于对应的测量结果，然后在几乎没有至没有电路开销的情况下计算浮动栅电压。在另一个实施方案中，使用至少任一个源或排出装置的寄生电容来偏压ISFET的浮动栅。施加驱动电压和偏压电流，以利用寄生电容来测试晶体管的功能性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 isfet 阵列 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种测试晶体管的方法，所述晶体管具有浮动栅和重叠电容，所述重叠电容是在所述浮动栅与第一和第二终端中的至少一个之间，所述方法包括：将试验电压施加于所述晶体管的所述第一终端；偏压所述晶体管的第二终端；测量在所述第二终端处的输出电压；和确定所述输出电压是否在预定范围内；其中经由所述重叠电容的试验电压将所述晶体管置于活化模式。
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