[发明专利]用于测试ISFET阵列的方法和装置

权利要求书

1.一种测试晶体管的方法，所述晶体管具有浮动栅和重叠电容，所述重叠电容是在所述浮动栅与第一和第二终端中的至少一个之间，所述方法包括：

将试验电压施加于所述晶体管的所述第一终端；

偏压所述晶体管的第二终端；

测量在所述第二终端处的输出电压；和

确定所述输出电压是否在预定范围内；

其中经由所述重叠电容的试验电压将所述晶体管置于活化模式，并且

其中所述第一终端是排出装置终端并且所述第二终端是源终端。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶体管是ISFET。

3.根据权利要求1所述的方法，其另外包括：

调节所述试验电压至另一电压值；

将调节过的试验电压施加于所述第一终端；

测量在所述第二终端处的第二输出电压；和

基于所述输出电压，测定晶体管性能。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述晶体管性能是晶体管增益。

5.根据权利要求1所述的方法，其中由与所述晶体管的终端植入物部分地重叠的栅氧化物层材料形成所述重叠电容。

6.根据权利要求2所述的方法，其中没有流体样品与所述浮动栅终端接触或邻近。