[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201710022633.6 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107808680B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 片山明 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储装置，具备：存储单元阵列，具有多个存储单元；生成电路，生成参考电流；读出放大器，对在存储单元流通的单元电流和参考电流进行比较，检测存储单元所存储的数据；第1钳位晶体管，连接在读出放大器的第1输入端子与存储单元之间；第2钳位晶体管，连接在读出放大器的第2输入端子与生成电路之间；第1布线层，连接于第1钳位晶体管的栅，在第1方向延伸；第2布线层，连接于第2钳位晶体管的栅，在第1方向延伸，与第1布线层相邻地配置；第1屏蔽线，与第1布线层和第2布线层之一相邻地配置，在第1方向延伸，被施加固定电压，第1布线层与第2布线层之间的第1间隔比第1布线层和第2布线层之一与第1屏蔽线之间的第2间隔窄。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种存储装置，具备：存储单元阵列，其具有多个存储单元；生成电路，其生成参考电流；读出放大器，其对在存储单元中流通的单元电流和所述参考电流进行比较，检测所述存储单元所存储的数据；第1钳位晶体管，其连接在所述读出放大器的第1输入端子与所述存储单元之间；第2钳位晶体管，其连接在所述读出放大器的第2输入端子与所述生成电路之间；第1布线层，其连接于所述第1钳位晶体管的栅，沿第1方向延伸；第2布线层，其连接于所述第2钳位晶体管的栅，沿所述第1方向延伸，与所述第1布线层相邻地配置；以及第1屏蔽线，其与所述第1布线层和所述第2布线层中的一个布线层相邻地配置，沿所述第1方向延伸，被施加固定电压，所述第1布线层与所述第2布线层之间的第1间隔，比所述第1布线层和所述第2布线层中的一个布线层与所述第1屏蔽线之间的第2间隔窄。
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