[发明专利]一种光刻胶层的图案化方法及半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201710018482.7 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288579B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 易旭东;孙晓雁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶层的图案化方法及半导体器件的制作方法，所述光刻胶层的图案化包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面上形成光刻胶层，所述表面能被氧化；获取所述光刻胶层在曝光前的实际等待时间；根据所述实际等待时间确定所述光刻胶层的实际曝光能量；以所确定的实际曝光能量对所述光刻胶层进行曝光，以形成开口或线宽的关键尺寸与设定关键尺寸一致的图案化光刻胶层。该光刻胶层的图案化方法在对光刻胶层进行曝光时，根据光刻胶层曝光前的实际等待时间确定实际曝光能量，以避免由于光刻胶层底部诸如氧化层等的厚度变化导致光刻胶层图案的关键尺寸发生变化。半导体器件的制作方法具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 图案 方法 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶层的图案化方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的表面上形成光刻胶层，所述表面能被氧化；获取所述光刻胶层在涂覆前的实际等待时间；根据所述实际等待时间确定所述光刻胶层的实际曝光能量；以所确定的实际曝光能量对所述光刻胶层进行曝光，以形成开口或线宽的关键尺寸与设定关键尺寸一致的图案化光刻胶层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710018482.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
