[发明专利]一种TFT制程工艺的电学性能测试方法

摘要

本发明公开一种TFT制程工艺的电学性能测试方法，使TFT器件工作于线性区，对控制极施加第一电压，测第二极的第一电容值；对控制极施加第二电压，测第二极的第二电容值，第一电容值与第二电容值的差为线性区电容变化值；使TFT器件工作于饱和区，对控制极施加第一电压，测第二极的第三电容值，对控制极施加第二电压，测第二级的第四电容值，第三电容值和第四电容值的差为饱和区电容变化值；改变饱和电压测相应饱和区电容变化值，建立每组饱和区电容变化值与线性区电容变化值的比值和对应饱和电压的关系，获得与斜率拐点对应的比值，求得第二极与控制极重叠区域的损伤比重。从而，本发明能够对TFT器件沟道不均匀损伤及缺陷进行定量分析。

主权项

1.一种TFT制程工艺的电学性能测试方法，其特征在于，该方法包括：将TFT器件的第一极接地；使TFT器件工作于线性区，对所述TFT器件的控制极施加第一电压，测量所述TFT器件的第二极的第一电容值；对所述控制极施加第二电压，测量所述第二极的第二电容值，所述第一电容值与所述第二电容值的差作为线性区电容变化值；对所述第二极施加饱和电压，使TFT器件工作于饱和区，对所述控制极施加所述第一电压，测量所述第二极的第三电容值，对所述控制极施加所述第二电压，测量所述第二极 的第四电容值，所述第三电容值和所述第四电容值的差值作为饱和区电容变化值；改变所述饱和电压的大小，测量相应的饱和区电容变化值；记录每组饱和区电容变化值与线性区电容变化值的比值，建立所述比值与对应的所述饱和电压的函数关系，获得与斜率拐点对应的所述比值；根据斜率拐点对应的所述比值，求得所述第二极与所述控制极重叠区域的损伤比重；其中，所述控制极为栅极；所述第一极为源极，所述第二极为漏极；或所述第一极为漏极，所述第二极为源极。