[发明专利]基于氧化钨—聚吡咯芯鞘纳米线的室温高灵敏度氨敏元件

摘要

本发明公开基于氧化钨—聚吡咯芯鞘纳米线的室温高灵敏度氨敏元件，将十二烷基苯磺酸钠溶于去离子水中，得到十二烷基苯磺酸钠溶液，将吡咯单体溶解在无水乙醇中，混合均匀后逐滴滴入十二烷基苯磺酸钠溶液中，继续搅拌后将氧化钨纳米线溶液逐滴滴入上述混合溶液中，通过滴加浓盐酸调节混合溶液pH为1‑4，得到聚合反应反应液，再将过硫酸铵溶液逐滴滴加在聚合反应反应液中，离心清洗；将上述聚合产物W18O49@PPy芯鞘纳米线用无水乙醇充分稀释分散并旋涂在电极基底上。形成聚吡咯鞘层覆盖均匀且鞘层形貌可调控的一维W18O49@PPy芯鞘异质纳米线构筑传感器敏感元，获得一种具有室温高灵敏度和快速响应恢复特性的氨敏气体传感元件。

主权项

1.基于氧化钨—聚吡咯芯鞘纳米线的室温高灵敏度氨敏元件，其特征在于，在氧化铝陶瓷基底上设置铂叉指电极，在铂叉指电极上设置氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线涂层，其中：氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线，按照下述步骤进行：将氧化钨纳米线悬浮液滴入吡咯聚合反应液中，并向其中滴加盐酸，以使混合体系pH为1‑4，同时对混合体系进行分散均匀；然后在持续分散的条件下，向混合体系中滴加过硫酸铵水溶液，以引发吡咯单体在氧化钨纳米线表面发生聚合反应形成聚吡咯的均匀壳层，形成氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线，纳米线长度为700—800nm，聚吡咯壳层厚度为5—20nm，氧化钨纳米线直径为70—80nm；在14℃下对1～200ppm氨气的灵敏度最高为6.49，最短响应时间为4—5s。