[发明专利]一种硼掺杂碳基荧光纳米材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种硼掺杂碳基荧光纳米材料及其制备方法和应用，该纳米材料的表面B原子成分为11.61％，用水热法制备硼掺杂碳基(B‑Cdots)荧光纳米材料并将其应用于铅离子和铜离子的检测。本发明的优点是：本发明采用简单的水热合成法合成高含量B的B‑Cdots荧光纳米材料，有效提高了B原子的掺杂含量，有利于扩展碳基荧光材料在环境检测中的应用范围，解决了合成B掺杂纳米材料需要苛刻实验条件这一技术难题，实现了重金属离子高选择性的检测。荧光实验测试表明，该B‑Cdots荧光纳米材料对Pb²⁺和Cu²⁺离子皆具有较好的特异性作用，并能实现对两者的高灵敏度检测。本发明所制得的产品不仅可用于重金属离子的检测，同时还可应用于作为其它荧光传感器的荧光探针，以及污染物治理、荧光装置材料和复合纳米材料的制备等许多领域。

主权项

1.一种硼掺杂碳基荧光纳米材料，其特征在于该纳米材料的表面B原子成分为11.61％；所述硼掺杂碳基荧光纳米材料采用以下步骤制备而成：称取1.1g抗坏血酸和0.5g硼酸置于100mL烧杯中，然后逐次加入25mL水和25mL乙醇，室温下超声30min，然后用NaOH将其调节至pH 10.0，最后将所得前驱液平均分装到聚四氟乙烯的高温反应釜中，在180℃条件下反应9.0h后，自然冷却至室温；得到黑棕色溶液置于冰箱中静置5d用以去除一些大体积的颗粒物质，最后将产物离心清洗，即制得硼掺杂碳基荧光纳米材料。