[发明专利]像素结构、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710005218.X | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106483728B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 丁多龙;刘华锋;赵生伟;孙超超;王超;吕景萍;杨盟;杨磊;胡重粮;谢霖;顺布乐;孙士民 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云;王晓燕 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种像素结构、阵列基板和显示装置，该像素结构包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘。在该像素结构中，所述第一存储电极和所述第二存储电极都包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。本发明实施例可以提高像素结构的存储电容。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种像素结构，包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；以及第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘，其中，所述第一存储电极和所述第二存储电极包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容，整个所述第一存储电容位于所述信号线和所述公共电极线之间；所述半导体层包括彼此连接且延伸方向相交的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部包括所述源极区，所述第二延伸部沿所述公共电极线延伸且与所述第一存储电极连接。
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