[发明专利]一种通过预留I晶促进均聚iP-1-B由熔体直接形成I′晶的方法

摘要

本发明公开一种通过预留I晶促进均聚iP‑1‑B由熔体直接形成I′晶的方法，将I晶iP‑1‑B加热保温后降温，多次循环此加热过程，通过广角X射线散射原位观察iP‑1‑B结晶行为，发现通过在熔体中预留I晶，可比完全不预留I晶时，在样品的30℃‑125℃循环加热过程中，生成的I′晶比例显著增加，此方法过程简单，易于操作。

主权项

1.一种通过预留I晶促进均聚iP‑1‑B由熔体直接形成I′晶的方法，其特征在于，将I晶均聚iP‑1‑B升温至II晶熔融温度以上，且不到I晶熔融温度，保温以使II晶完全熔融且预留部分I晶，再降温室温，完成一个加热保温降温的过程，反复升降温操作即可在iP‑1‑B中生成晶型I′，加热保温降温的过程包括：自室温20—30摄氏度以20—30^oC/min升温至124±1摄氏度并恒温保温2—10min，再10—15 ^oC/min降温室温20—30摄氏度，保温时间为2—10min。