[发明专利]一种通过预留I晶促进均聚iP-1-B由熔体直接形成I′晶的方法

权利要求书

1.一种通过预留I晶促进均聚iP-1-B由熔体直接形成I′晶的方法，其特征在于，将I晶均聚iP-1-B升温至II晶熔融温度以上，且不到I晶熔融温度，保温以使II晶完全熔融且预留部分I晶，再降温室温，完成一个加热保温降温的过程，反复升降温操作即可在iP-1-B中生成晶型I′，加热保温降温的过程包括：自室温20—30摄氏度以20—30^oC/min升温至124±1摄氏度并恒温保温2—10min，再10—15 ^oC/min降温室温20—30摄氏度，保温时间为2—10min。

2.根据权利要求1所述的一种通过预留I晶促进均聚iP-1-B由熔体直接形成I′晶的方法，其特征在于，加热保温降温的过程包括：自室温20—30摄氏度以20—30^oC/min升温至124±1摄氏度并恒温保温2—5min，再10—15 ^oC/min降温室温20—30摄氏度，保温时间为2—5min。

3.根据权利要求1所述的一种通过预留I晶促进均聚iP-1-B由熔体直接形成I′晶的方法，其特征在于，随加热保温降温循环次数的增加，晶型I′的含量逐渐增加。

4.如权利要求1所述的通过预留I晶促进均聚iP-1-B由熔体直接形成I′晶的方法在预留I晶促进均聚iP-1-B由熔体直接形成I′晶调控中的应用，其特征在于，均聚iP-1-B中预留I晶的存在，促使均聚iP-1-B在升降温过程中可形成I′晶的比例显著提高。