[发明专利]一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置有效
| 申请号： | 201710002475.8 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN106504971B | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李宛泽;刘轩;刘祖宏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置，涉及显示技术领域，可提高基板良率。所述等离子刻蚀方法包括从刻蚀腔室中实时采集获取波长‑光强图，并根据所述波长‑光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；根据所述生成物实时控制所述刻蚀腔室内的温度。用于刻蚀待刻蚀基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子刻蚀方法，其特征在于，包括：从刻蚀腔室中实时采集获取波长‑光强图，并根据所述波长‑光强图，得到所述刻蚀腔室内含量最多的生成物；根据所述生成物得到所述生成物的固气临界温度；控制所述刻蚀腔室的温度等于所述固气临界温度。
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