[发明专利]双侧面量子点器件有效
| 申请号： | 201680089570.X | 申请日： | 2016-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN109791946B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | R.皮拉里塞蒂;J.M.罗伯茨;N.K.托马斯;H.C.乔治;J.S.克拉克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/12;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开的是一种量子点器件以及相关的计算设备和方法。例如，在一些实施例中，量子点器件可以包括：具有第一和第二量子阱层的量子阱堆叠，设置在量子阱堆叠上使得第一量子阱层被设置在垒层和第一组栅之间的第一组栅，从第一组栅延伸到量子点器件的第一面的第一组导电通路，设置在量子阱堆叠上使得第二量子阱层被设置在垒层和第二组栅之间的第二组栅，以及从第二组栅延伸到量子点器件的第二面的第二组导电通路，其中第二面与第一面不同。 | ||
| 搜索关键词： | 侧面 量子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种量子点器件组装件，包括：量子点器件，包括：量子阱堆叠，包括第一和第二量子阱层，第一组栅，所述第一组栅被设置在所述量子阱堆叠上，使得所述第一量子阱层被设置在所述第二量子阱层和所述第一组栅之间，第一组导电通路，所述第一组导电通路从所述第一组栅延伸到所述量子点器件的第一面，第二组栅，所述第二组栅被设置在所述量子阱堆叠上，使得所述第二量子阱层被设置在所述第一量子阱层和所述第二组栅之间，以及第二组导电通路，所述第二组导电通路从所述第二组栅延伸到所述量子点器件的第二面，其中所述第二面与所述第一面不同。
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