[发明专利]磁传感器有效
申请号: | 201680083114.4 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN108700637B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 田边圭 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;G01R33/09;H01L43/08 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;陈明霞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种磁传感器,通过使磁通更大地弯曲来提高磁检测灵敏度的磁传感器。本发明的磁传感器具备:位于分离第1空间(S1)和第2空间(S2)的平面(P)的磁检测元件(MR1、MR2)、配置于第1空间(S1)且从z方向观察位于磁检测元件(MR1、MR2)之间的第1磁性体(31)以及配置于第2空间(S2)的第2磁性体(32)。从z方向看,磁检测元件(MR1)位于第1磁性体(31)和第2磁性体(32)的第1部分(32a)之间。从z方向看,磁检测元件(MR2)位于第1磁性体(31)和第2磁性体(32)的第2部分(32b)之间。根据本发明,由于第1磁性体集中的磁通被引到第2磁性体的第1部分和第2部分,所以能够使磁通更大地弯曲。由此,能够提高磁传感器的磁检测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种磁传感器,其特征在于,具备:多个磁检测元件,包括位于分离第1空间和第2空间的平面的至少第1磁检测元件和第2磁检测元件,第1磁性体,配置于所述第1空间,从与所述平面交叉的第1方向观察位于所述第1磁检测元件和所述第2磁检测元件之间;以及第2磁性体,配置于所述第2空间,至少具有第1部分和第2部分,从所述第1方向观察,所述第1磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第1部分之间,从所述第1方向观察,所述第2磁检测元件位于所述第1磁性体和所述第2磁性体的所述第2部分之间。
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