[发明专利]气化器、衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201680082675.2 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108780752A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 立野秀人;田中昭典;原大介;奥野正久;定田拓也;塚本刚史;堀井贞义;角田彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;B01J7/00;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本申请公开的技术，提供一种气化器，其具备：内表面由石英部件构成的气化室；和雾化部(雾化器部)，其由氟树脂形成，并且使用载气(雾化气体)将液体原料雾化并将其供给至所述气化室内。根据所述技术，能够在将液体原料气化的气化器中，防止由于液体原料、和与液体原料接触的气化器的构成部件发生反应而导致的金属污染的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 气化器 液体原料 衬底处理装置 液体原料气化 液体原料雾化 半导体器件 构成部件 金属污染 石英部件 雾化气体 氟树脂 内表面 气化室 雾化部 雾化器 气化 载气 室内 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.气化器，其具备：内表面由石英部件构成的气化室；和雾化部，其由氟树脂形成，并且使用载气将液体原料雾化并将其供给至所述气化室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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